С точки зрения проводимости полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.

Носители заряда в полупроводниках бывают как отрицательными, так и положительными. Отрицательные – это электроны, положительные – отсутствие электрона в атоме кристаллической решетки, т.е. вакансия в электронной оболочке (дырки проводимости).

Собственная проводимость полупроводников

В классе полупроводников выделяют кристаллы, в которых электроны и дырки проводимости образуются исключительно за счет ионизации атомов – проводимость в таких полупроводниках называется «собственной». Концентрация положительных и отрицательных носителей в таком полупроводнике всегда одинакова, причем, она не является постоянной. В «собственном» полупроводнике постоянно идет процесс рекомбинации (взаимного «уничтожения» электрона и дырки, в рамках которого свободный электрон занимает вакансию в электронной оболочке). С повышением температуры процесс рекомбинации идет более активно, таким образом, проводимость полупроводников растет.

Примесная проводимость

Характером проводимости полупроводников можно управлять путем добавления примесей. В качестве примесей используются атомы III или V групп таблицы Менделеева. Атомы примеси, «встраиваясь» в кристалл полупроводника, создают либо «лишний» электрон (и тогда основным типом носителей в полупроводнике будут электроны – это полупроводники n-типа), либо образовывают вакансию (в этом случае основной тип носителей – дырки, а полупроводник относится к p-типу).

Применение полупроводников

Широкое применение полупроводники нашли, благодаря явлениям, происходящим на так называемом p-n переходе (границе между полупроводниками n и p-типов). Такой переход имеет одностороннюю проводимость. Транзисторы, лежащие в основе всей современной электроники, состоят из двух подобных переходов.

Последние новости в разделе полупроводник

30.01.2015 (6:39) Технология >> Нанотехнология
СТМ позволяет визуализировать взаимодействие многих тел

Эффекты, проявляющиеся при взаимодействии большого количества заряженных частиц, важны для понимания электронных свойств отдельных молекул. И продвинуться в этом направлении помогут результаты недавно опубликованной работы совместной группы ученых из Финляндии и ...>>

21.01.2015 (9:38) Естественные науки >> Физика