|
|
легирование, архив статей за January 2010
Навигация по дням| January 2010 | | Mn | Tu | We | Th | Fr | Sa | Su | | | | | | 1 | 2 | 3 | | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
|
Все новости
26.01.2010 (9:41)
Естественные науки >> Физика
Найден способ легирования нанопроводов из InAs
 Ученые из Калифорнийского Университета (University of California) предложили методику легирования нанопроводов из арсенида иридия (InAs) с целью превращения их в полупроводники p-типа. Методика определенно будет иметь широкое применение в производстве наноэлектронных устройств как ...>>
|
|
навигация
|
|
