30.03.2012 (17:57)
Технология >> Нанотехнология
Ультратонкий нитрид бора может использоваться для создания сверхбыстрых туннельных транзисторов
 Как показали исследования ученых из Великобритании, ультратонкие листы нитрида бора с гексагональной кристаллической решеткой могли бы быть идеальным диэлектриком для построения электронных компонент будущего. Судя по обнаруженным в рамках экспериментов свойствам, ...>>
|
18.03.2012 (9:02)
Естественные науки >> Физика
 InGaN позволяет создавать качественные фотоаноды для получения альтернативной энергии
Как показали последние исследования ученых из США, нанопровода из нитрида иридия ...>>
|
