транзистор, архив статей за March 2012

30.03.2012 (17:57) Технология >> Нанотехнология Ультратонкий нитрид бора может использоваться для создания сверхбыстрых туннельных транзисторов Как показали исследования ученых из Великобритании, ультратонкие листы нитрида бора с гексагональной кристаллической решеткой могли бы быть идеальным диэлектриком для построения электронных компонент будущего. Судя по обнаруженным в рамках экспериментов свойствам, ...>>